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您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任的“硬核”MOSFET吗？STW25NM60ND正是为您而来！这颗来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和21A的强劲电流处理能力，专为要求严苛的高效电源转换和电机控制应用而设计。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅160毫欧），能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关性能，帮助您轻松提升开关频率、减小磁性元件尺寸，并有效控制电磁干扰。无论是升级现有设计还是开发新产品，它都能让您的高功率应用更加高效可靠。

• 型号:STW25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW25NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。