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还在为高功率应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STB85NF55LT4来为您解决！这颗N沟道MOSFET是您实现高效、紧凑电源设计的得力助手。

它能在高达55V的电压和80A的电流下稳定工作，而其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅8毫欧@10V）。这意味着它能大幅减少导通状态下的功率损耗，让您的系统运行更凉爽，整体能效显著提升。同时，优化的栅极电荷（Qg）让开关速度更快，进一步降低了开关损耗。

无论是服务器电源、电机驱动还是大功率DC-DC转换器，STB85NF55LT4都能让您轻松应对高电流挑战，其坚固的D2PAK封装和宽温度范围（-55°C至175°C）更确保了在各种严苛环境下的可靠性与长寿命，是您提升产品竞争力的理想选择。

• 型号:STB85NF55LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4050 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB85NF55LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。