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还在为电源转换效率的瓶颈而困扰吗？STB80NF55L-08-1 N沟道MOSFET就是为您突破这一瓶颈而生的利器。它基于意法半导体先进的STripFET II技术，拥有仅8毫欧的超低导通电阻，能在大电流（高达80A）通过时显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接提升整体能效表现。

这颗芯片能轻松应对55V的电压环境，其优化的栅极电荷和快速的开关特性，让您的驱动电路设计更简单，开关损耗更低。无论是用于电机驱动、电源转换还是功率开关，它都能提供稳定可靠的性能，让您轻松构建出高效、紧凑且耐用的电力电子系统。

• 型号:STB80NF55L-08-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB80NF55L-08-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。