我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB80NF55-08AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理大功率的电路吗？STB80NF55-08AG正是您需要的强大引擎。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有55V的漏源电压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅8毫欧。这意味着它能极大地减少开关和导通过程中的功率损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

更令人放心的是，它基于先进的STripFET技术打造，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保了从工业电机驱动到新能源汽车电控等严苛环境下的卓越可靠性与长寿命。选择它，就是为您的产品选择了强劲的动力与安心的保障。

• 型号:STB80NF55-08AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:112 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NF55-08AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。