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还在为寻找一款能兼顾大电流与低损耗的30V级功率开关而烦恼吗？STB80NF03L-04-1正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有80A的强大电流处理能力，而其核心魅力在于低至4毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它让您轻松驾驭从电机驱动到电源转换的各种应用。优异的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关行为，让控制更精准，响应更迅捷。高达300W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-60°C ~ 175°C），则赋予了它应对严苛环境挑战的可靠性，是您构建高效、稳健电力系统的理想基石。

• 型号:STB80NF03L-04-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-60°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB80NF03L-04-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。