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想象一下，您的电源或电机驱动系统能否在保持强劲动力的同时，运行得更冷静、更高效？STGB30M65DF2正是为此而生。这颗650V/30A的沟槽场截止IGBT，凭借仅2V的低导通压降，能显著降低开关损耗，让您的设备效率轻松跃升，同时减少散热需求，简化整体设计。

它集成了快速的开关性能与高达120A的脉冲电流能力，确保在动态负载下响应迅捷、运行稳定。采用坚固的DPak表面贴装封装，并提供宽广的工作温度范围，让您能够从容应对工业环境的挑战，打造出更可靠、更紧凑的功率解决方案。

• 型号:STGB30M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:300J（导通），960J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB30M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。