我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB80N20M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能大幅提升电源效率、同时保持卓越可靠性的功率开关？STB80N20M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有200V耐压和高达61A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的23毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源设计更高效、更“冷静”。

它专为应对高要求应用而优化。较低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更小，无论是用于服务器电源、工业电机驱动还是高功率LED照明，都能让系统性能轻松跃升。D2PAK封装提供了出色的功率耗散能力（高达190W），结合宽广的工作温度范围（结温150°C），确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定运行，持久可靠。

• 型号:STB80N20M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4329 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80N20M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。