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还在为复杂的功率开关驱动电路而烦恼吗？L6387DTR就是您的高效解决方案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，能轻松驾驭IGBT和N沟道MOSFET，为您提供高达600V的高压侧驱动能力和快速精准的开关控制，让您的电机驱动、电源转换系统运行得更稳定、更高效。

它集成了强大的驱动核心，峰值输出电流分别达到400mA（灌入）和650mA（拉出），配合极短的开关时间，能显著降低开关损耗，提升整体能效。其宽广的工作温度范围（-45°C至125°C）和反相输入逻辑设计，让您在各种严苛应用场景下都能轻松实现可靠、简洁的系统设计，是提升产品竞争力的理想选择。

• 型号:L6387DTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6387DTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。