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您正在设计需要处理大电流的电源或电机控制方案吗？STB78NF55-08正是为您而来的得力助手。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达80A的连续电流，并以低至8毫欧的导通电阻，显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得更简单。

基于先进的STripFET II技术，它在55V电压和宽广的温度范围内（-55°C ~ 175°C）都能保持稳定表现。无论是用于高效的DC-DC转换、电机驱动桥臂，还是其他需要快速开关和低损耗的功率路径，它都能让您的设计更高效、更可靠。其D2PAK封装确保了出色的功率耗散能力（高达300W），让您能从容应对高功率密度挑战。

• 型号:STB78NF55-08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB78NF55-08，ST（意法半导体）产品一站式供应商。