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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率的“能量开关”吗？STB70NF03LT4正是这样一颗高性能N沟道MOSFET。它基于意法半导体成熟的STripFET II技术，旨在让您的电源管理设计变得前所未有的高效与轻松。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅9.5毫欧的超低导通电阻和高达70A的电流处理能力，能显著降低导通损耗，让电能传输更“顺畅”，发热更少。这意味着您的设备可以运行得更凉爽，续航更持久。同时，其优化的栅极特性让开关速度更快，损耗更低，帮助您轻松实现更高频率、更高效率的电源转换。

无论是用于服务器电源、电机驱动还是各类DC-DC转换器，STB70NF03LT4都能以卓越的电气性能和D2PAK封装带来的出色散热能力，确保您系统的稳定与可靠，是您打造高性能、高竞争力产品的理想选择。

• 制造商产品型号：STB70NF03LT4
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET II
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 35A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±18V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1440pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• STB70NF03LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。