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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？STB46N60M6正是为您而来的解决方案。这颗600V/36A的N沟道MOSFET，凭借其80毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高能效。

它采用先进的D2PAK封装和汽车级AEC-Q101认证工艺，确保在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作。无论是电机驱动、电源转换还是新能源应用，它都能让您以更小的散热设计实现更大的功率输出，大幅提升系统可靠性。选择它，就是选择高效与安心。

• 型号:STB46N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB46N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。