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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STB6NK90ZT4来为您解决！这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的耐压和5.8A的电流处理能力，专为高效、可靠的功率开关而优化。

它能为您做什么？它能让您的开关电源、照明驱动或电机控制电路运行得更高效、更凉爽。其低至2欧姆的导通电阻和优化的动态参数，显著降低了导通与开关损耗，直接提升系统能效，并让您的散热设计更轻松。同时，其坚固的封装和宽温度范围，确保了在各种应用环境下都能稳定工作，是您打造高性能、高可靠性产品的理想功率开关选择。

• 型号:STB6NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB6NK90ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。