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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STB6NK60ZT4为您带来焕然一新的解决方案。这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和6A的强电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅1.2欧姆），能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为要求苛刻的开关应用而优化。出色的栅极电荷特性让开关动作干净利落，提升整体频率响应；D2PAK封装确保了强大的散热性能，即使在高功率下也能稳定工作。无论是开发新一代适配器、工业电源，还是LED照明驱动，选择它，意味着您轻松获得了一个可靠、高性能的功率开关核心，直接助力产品能效升级和可靠性飞跃。

• 型号:STB6NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:905 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB6NK60ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。