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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STB6N62K3正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有620V的漏源电压和5.5A的连续电流能力，核心优势在于其SuperMESH3技术带来的极低导通电阻（仅1.2欧姆）与优化的动态特性。

这意味着，在您的开关电源或电机驱动电路中，它能显著减少能量损耗，让系统运行更凉爽、更高效。高达90W的功率处理能力和150°C的工作结温，赋予了它卓越的可靠性与耐久度。选择它，就是为您的产品选择了一份强劲且稳健的动力核心，轻松应对各种严苛应用挑战。

• 型号:STB6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB6N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。