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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STF4LN80K5为您开启高效电源设计的新篇章。这颗N沟道高压MOSFET，凭借其800V的耐压和3A的电流能力，能轻松成为您开关电源、LED驱动和电机控制系统的核心开关器件。

它采用了意法半导体先进的MDmesh K5技术，为您带来极低的导通电阻和栅极电荷。这意味着它能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的设备运行更凉爽、能效比更高，直接帮助您节省能源成本并提升产品可靠性。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您的设计无后顾之忧。

• 型号:STF4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:122 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF4LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。