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您正在为高压电源设计寻找一颗既强健又高效的“心脏”吗？STB6N52K3 N沟道MOSFET正是您的理想选择。它能轻松应对高达525V的电压和5A的电流，为您的高压开关电源、电机控制或照明镇流器应用提供稳定可靠的核心开关功能。

得益于ST先进的SuperMESH3技术，这颗芯片能让您显著提升系统效率。其极低的导通电阻（最大1.2欧姆）意味着更少的导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速干净的开关动作，有效降低开关损耗。这一切都让您的设备运行更凉爽、更节能。采用坚固的D2PAK封装，它还拥有出色的散热能力，确保在严苛环境下也能持久稳定工作，让您的设计无后顾之忧。

• 制造商产品型号：STB6N52K3
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH3
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：670pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• STB6N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。