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STAC1011-350F 零件图片(仅供参考)

STAC1011-350F
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STAC1011-350F 规格参数

还在寻找能同时兼顾大功率、高增益与卓越可靠性的射频核心?STAC1011-350F正是您期待的答案。这颗基于先进LDMOS技术的射频功率晶体管,能在1.03GHz至1.09GHz的频段内,为您稳定输出高达370W的强劲功率,并伴随15dB的高增益,让您的信号放大变得前所未有的高效和有力。

它专为应对严苛的工业与通信环境而生,80V的额定电压和优化的STAC265B封装,确保了其在长期高负荷运行下的出色稳定性和散热表现。无论是构建强大的广播发射系统,还是驱动精密的工业射频设备,STAC1011-350F都能让您轻松驾驭核心射频链路,显著提升终端产品的整体性能和市场竞争力。

  • 制造商产品型号:STAC1011-350F
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:PTD WBG & POWER RF
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:LDMOS
  • 频率:1.03GHz ~ 1.09GHz
  • 增益:15dB
  • 电压-测试:-
  • 额定电流(安培):2A
  • 噪声系数:-
  • 电流-测试:-
  • 功率-输出:370W
  • 电压-额定:80V
  • 封装:STAC265B
  • STAC1011-350F,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STAC1011-350F 基本参数:

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