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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STB5N52K3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和4.4A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等高压场合的核心开关任务。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（1.5Ω @10V）意味着更少的能量以热量形式浪费，直接提升系统整体能效。同时，优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关，有助于简化驱动设计并改善EMI性能。坚固的D2PAK封装和70W的功率耗散能力，让您无需担心散热挑战，从容应对高功率密度设计的需求。

• 型号:STB5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB5N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。