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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STB50N25M5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有250V的坚固耐压和28A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于极低的导通电阻与优化的动态参数，能显著降低您电源系统中的导通与开关损耗，从而提升整体能效，让热量管理变得更加轻松。

它基于ST先进的MDmesh V技术打造，旨在为您提供更纯净、更快速的开关性能。无论是用于AC-DC转换、电机控制还是照明镇流器，STB50N25M5都能帮助您构建更紧凑、更高效的解决方案，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STB50N25M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB50N25M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。