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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的核心功率开关吗？STB43N65M5正是为此而生。它集成了意法半导体先进的MDmesh M5技术，拥有650V的坚固耐压和42A的强大电流通过能力，而其导通电阻低至惊人的63毫欧，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让热量更少，性能更持久。

这颗芯片专为汽车级(AEC-Q101)和高可靠性应用而设计，其优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更加迅速、干净，从而简化您的驱动电路设计，降低系统噪声。采用坚固的D2PAK封装，它能轻松耗散高达250W的功率，确保在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。选择STB43N65M5，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏，轻松应对从工业变频、服务器电源到新能源转换等各种挑战。

• 型号:STB43N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB43N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。