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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又能保持高效低温的功率开关而烦恼吗？STB43N60DM2就是您理想的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和34A的强大电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源设备时，底气十足，轻松应对高功率密度挑战。

它的核心魅力在于极致的效率提升。仅93毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的能量损耗，直接为您带来更低的运营成本和更凉爽的系统运行温度。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，进一步削减开关损耗，让您的整个电源系统运行得更安静、更高效。选择它，就是为您的产品注入了高效可靠的动力源泉。

• 型号:STB43N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB43N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。