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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持极低损耗的功率开关？STP50NE08正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET拥有80V的漏源电压和50A的连续电流能力，其核心魅力在于仅24毫欧的超低导通电阻，能大幅减少开关过程中的能量损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用坚固的TO-220AB通孔封装，散热性能优异，结合高达150W的功率耗散能力，确保在重载或高温环境下依然稳定可靠。无论是升级现有设计还是为经典方案备货，选择STP50NE08，就是选择了一份由ST意法半导体提供的卓越性能与耐久性承诺。

• 型号:STP50NE08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP50NE08，ST（意法半导体）产品一站式供应商。