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您正在寻找一颗能扛起高压、高效开关重任的“核心引擎”吗？STB3N62K3正是这样一位实力派选手。它基于ST意法半导体先进的SuperMESH3技术打造，是一款耐压高达620V、可连续通过2.7A电流的N沟道MOSFET，专为要求苛刻的功率转换场景而生。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至2.5欧姆的导通电阻和仅13nC的栅极电荷，大幅降低了导通损耗和开关损耗，让您的电源系统运行得更“冷静”、更高效。无论是提升开关电源的能效，还是优化电机驱动的性能，它都能让您轻松应对，助力产品在可靠性和能效上脱颖而出。

• 型号:STB3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB3N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。