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您正在寻找一颗既能承受高压大电流，又能保持极高开关效率的功率开关吗？STB36NM60N正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和29A的连续电流能力，核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更高效、更可靠。

它内置ST先进的MDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）同时优化至出色水平。这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，系统发热更低，整体能效显著提升。同时，其高达210W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了在严苛环境下依然稳定工作。选择它，就是为您的设计注入了强劲且持久的动力源泉。

• 型号:STB36NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB36NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。