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在追求极致能效的今天，您是否在寻找一颗能轻松掌控500V高压、同时保持低导通损耗的功率开关？STB13NM50N正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，让您在处理高达12A的连续电流时，仅需面对极低的320毫欧导通电阻，显著降低开关损耗和发热，直接提升系统的整体效率与可靠性。

这颗N沟道MOSFET具备优异的开关特性，其低栅极电荷和输入电容让驱动设计变得简单高效，助力您的电源或电机驱动方案实现更快的响应速度。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，并结合高达150°C的结温工作能力，它能让您的产品从容应对高负荷和严苛环境，确保长久稳定运行。

• 制造商产品型号：STB13NM50N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• STB13NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。