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您是否正在寻找一颗能轻松应对高压大电流挑战，同时保持极低损耗的功率开关解决方案？STB33N60M6正是为此而生。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和25A的连续电流能力，而其核心魅力在于仅125毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更致力于简化您的设计。优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，让驱动设计更轻松，有助于提升开关频率，从而缩小磁性元件的体积。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，STB33N60M6都能提供稳定可靠的性能，帮助您打造出更具市场竞争力的高能效产品。

• 型号:STB33N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB33N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。