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还在为高压开关应用的效率和散热问题头疼吗？STP10NM60N正是为您而来的解决方案！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和10A的强电流处理能力，能轻松担当起电源转换、电机驱动和照明控制中的核心开关角色。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅550毫欧）和优化的动态参数，这直接为您带来了更低的传导与开关损耗，意味着更高的系统效率和更少的发热。搭配上经典的TO-220AB封装和高达70W的功率耗散能力，让您的散热设计变得更简单、更可靠。选择它，就是选择让您的产品在性能、能效和稳定性上全面领先。

• 型号:STP10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。