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您正在设计需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STB33N60M2正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和26A的连续漏极电流能力，让您能轻松驾驭从工业电源到新能源逆变器的各种高压应用场景。

它的核心魅力在于极致的高效与可靠。仅125毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，优化的栅极电荷和快速恢复体二极管特性，确保了高速开关性能与更低的电磁干扰，让您的设计在高频下运行依然稳定安静。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，提供了出色的散热性能，确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内持续可靠工作。

• 型号:STB33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB33N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。