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还在为高压开关应用的效率和散热头疼吗？STB30NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V/25A的强悍规格，采用先进的FDmesh II技术，能为您大幅降低导通损耗，让能量传递更高效，系统运行更凉爽。

它能让您轻松应对服务器电源、电机驱动等高要求场景。其优化的开关特性有助于简化驱动设计，而卓越的功率处理能力（190W）和高温工作特性（150°C TJ），则确保了长期运行的坚固与可靠。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、耐用的动力心脏。

• 型号:STB30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。