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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STB30NM50N正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和27A的强大电流吞吐能力，核心采用意法半导体成熟的MDmesh II技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它集低栅极电荷与稳健的热性能于一身，采用便于散热和焊接的D2PAK封装，能轻松应对高达190W的功率耗散。这意味着您可以更从容地设计系统，在提升功率密度的同时，无需过分担忧热管理的压力。STB30NM50N致力于以经典可靠的性能，简化您的高压功率设计挑战，助力产品赢得市场先机。

• 型号:STB30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。