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还在为高压大电流应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STB28NM50N为您带来颠覆性的改变！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和21A的强大电流吞吐能力，能轻松驾驭从工业电源到电机驱动的各种严苛任务。

它的核心魅力在于极致的效率。超低的导通电阻大幅减少了导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，优化的栅极电荷和开关特性确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与竞争力的基因。

• 型号:STB28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB28NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。