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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STB28N65M2正是您的理想之选。这颗来自意法半导体MDmesh M2系列的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和20A的电流处理能力，专为要求严苛的开关电源和电机驱动应用而生。

它的核心价值在于为您大幅提升系统能效。凭借仅180毫欧的低导通电阻和优化的动态特性，它能显著降低开关和传导损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。同时，其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保您能在各种环境下实现稳定可靠的功率转换，轻松应对高功率密度设计的挑战。

• 型号:STB28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB28N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。