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还在寻找那颗能扛起大电流重任又保持“冷静”的功率核心吗？STB270N4F3正是为您而来的答案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的160A连续电流能力和低至2.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统效率飙升，运行更凉爽、更持久。

它专为汽车级严苛环境打造，通过AEC-Q101认证，可在-55°C到175°C的结温范围内稳定工作。高达330W的功率耗散和优化的栅极电荷设计，让您轻松驾驭高频开关应用，实现更紧凑、更高效的电路布局。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠的心脏。

• 型号:STB270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB270N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。