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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STB25NM60N-1正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固防线和21A的强大电流吞吐能力，专为 demanding 的功率转换场景而生。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。仅160毫欧的导通电阻（最大值），让电流通过时的能量损失降至最低，直接为您带来更高的系统效率和更小的散热压力。同时，优化的动态参数让开关过程更加干净利落，进一步提升整体能效。无论是升级现有设计还是开发经典项目，选择它，就是选择了一份让您省心、让产品出彩的可靠保障。

• 型号:STB25NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB25NM60N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。