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还在寻找一颗能扛起大梁、又兼具高效与可靠的功率开关吗？STGWT30H60DFB正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的600V/60A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能为您大幅降低导通与开关损耗，轻松将系统效率提升到一个新高度。

它让您能够从容应对伺服驱动、UPS、电焊机等高要求应用。高达260W的功率处理能力和175°C的结温，确保了它在严苛环境下的稳定输出。优异的开关速度与低栅极电荷，让您的设计更高效、响应更迅速，是您打造下一代高性能电力电子设备的理想核心。

• 型号:STGWT30H60DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:383J（导通），293J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:149 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):53 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT30H60DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。