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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的功率开关核心吗？STB25NM50N正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和22A的连续电流处理能力，专为要求苛刻的开关电源和电机驱动应用而设计。

它采用了ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通电阻（Rds(On)），从而减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的动态参数帮助提升开关频率，让您的设计在性能和效率上找到完美平衡。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热能力和机械可靠性，轻松应对高功率应用挑战。

• 型号:STB25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB25NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。