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您正在寻找一颗能扛起高电压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STB24NM65N正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和19A的强大电流处理能力，核心采用ST引以为傲的MDmesh II技术，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更省电。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。极低的栅极电荷和输入电容，让开关动作干净利落，大幅提升开关频率和效率，特别适合对动态性能要求高的场合。采用坚固的D2PAK封装，散热能力强，安装可靠，让您轻松应对高功率密度设计的挑战，是实现高效、紧凑型功率转换方案的理想心脏。

• 型号:STB24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB24NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。