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还在寻找能同时兼顾高效率与高可靠性的功率开关解决方案吗？STB24N60M2正是您期待的答案。这颗采用MDmesh II Plus技术的600V/18A N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计事半功倍。其超低的导通电阻（Rds(on)）和优化的动态特性，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统能效，让您的产品在能耗表现上领先一步。

它能让您轻松应对PFC、电机驱动、UPS和照明等应用中的高频开关挑战。优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动需求，从而简化您的驱动电路设计。搭配坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，STB24N60M2为您提供的是持久稳定的高性能输出，是打造高效、紧凑、可靠电力系统的理想核心器件。

• 型号:STB24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。