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您是否正在寻找一颗能扛起汽车级应用重任，同时又能让设计事半功倍的功率MOSFET？STB47N60DM6AG就是为您准备的答案。这颗采用先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和极低的导通电阻，核心使命就是让您的电源转换系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对车载充电器、DC-DC转换器等关键部位的功率开关需求，其优异的开关特性显著降低损耗，直接提升整体能效。更重要的是，其汽车级品质认证确保了在振动、高温等恶劣环境下无与伦比的可靠性，让您的产品设计拥有坚实的基石。选择它，就是选择了一份让系统性能与稳定性双双跃升的保障。

• 型号:STB47N60DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2350 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB47N60DM6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。