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还在为功率转换系统的效率瓶颈寻找突破口吗？STB22N60DM6正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M6技术的600V/15A MOSFET，拥有低至240毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您能够轻松提升开关频率，从而使用更小的电感和变压器，实现系统的小型化与轻量化。其坚固的D2PAK封装和130W的功率处理能力，确保了在-55°C至150°C的严苛环境下依然稳定可靠，大幅提升您产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STB22N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB22N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。