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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STF8N65M5 N沟道功率MOSFET正是您期待的答案。它凭借650V的高耐压和仅600毫欧的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统效率，让能量转换更加“干净利落”。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭从工业电源到电机驱动等各种高压应用。其MDmesh V技术和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关行为，不仅减少了电磁干扰(EMI)，还简化了您的电路设计。同时，TO-220FP封装提供了出色的散热路径，让芯片在高功率运行时依然保持“冷静”，极大地增强了系统的长期可靠性。

选择STF8N65M5，就是选择了一种更智能、更高效的功率管理方式。它让您以更小的散热负担和更高的功率密度，打造出性能出众、竞争力更强的终端产品，助您在市场中脱颖而出。

• 型号:STF8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。