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还在寻找那颗能扛起大电流、兼顾高效与可靠的“核心开关”吗？STB80NF55-06-1正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET II技术，旨在让您的电源和电机驱动设计事半功倍。

它能为您做什么？它凭借仅6.5毫欧的超低导通电阻，大幅降低导通损耗，直接提升系统能效，让您的设备更省电、发热更少。同时，高达80A的电流处理能力和快速的开关特性，让您能轻松驾驭从服务器电源到工业电机控制的各种高要求应用。其坚固的I2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了极端环境下的稳定表现，为您产品的长期可靠性保驾护航。

• 型号:STB80NF55-06-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB80NF55-06-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。