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还在为高压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？STB20NM60D正是为您排忧解难的利器。这颗采用意法半导体先进FDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和20A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值290mΩ @10V），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对开关电源（SMPS）、照明镇流器、工业电机控制等应用挑战。优化的动态参数（如低栅极电荷）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您简化电路设计，提升系统功率密度和可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

• 型号:STB20NM60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20NM60D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。