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还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STB20NM60-1正是为您而来的答案。这颗采用意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，集600V高耐压与20A大电流于一身，其核心价值在于让您的电源或驱动设计实现更低的能量损耗和更高的运行可靠性。

它通过优化的内部结构，将导通电阻（Rds(on)）有效降低，这意味着在相同电流下，芯片自身的发热更少，让您的系统效率显著提升。同时，精心设计的开关特性帮助您轻松驾驭高频工作场景，减少开关过程中的能量浪费。无论是升级现有产品还是开发新方案，选择它，就是选择了一条通往更高性能、更稳定运行的捷径。

• 型号:STB20NM60-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB20NM60-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。