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还在为功率转换系统的效率与散热问题寻找最优解吗？让STL12N10F7来为您实现突破！这颗来自意法半导体的100V/44A N沟道MOSFET，集成了STripFET F7系列的核心优势，旨在让您的设计更高效、更紧凑。

它凭借极低的导通电阻（低至13.3mΩ）和栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升系统整体能效，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。同时，其紧凑的PowerFlat封装为您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度设计。

无论是开发服务器电源、工业驱动还是车载充电器，STL12N10F7都能提供稳定可靠的性能，助您轻松应对高电流开关挑战，加速产品上市进程。

• 型号:STL12N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.3 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1820 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。