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还在寻找一颗能同时满足高压、大电流和高效率要求的功率开关吗？STB20NM50T4正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET基于意法半导体成熟的MDmesh技术，拥有550V的耐压和20A的载流能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，轻松应对高功率挑战。

它的核心价值在于卓越的能效表现。低至250毫欧的导通电阻（最大值）能显著降低导通损耗，而优化的动态参数（如栅极电荷）则有助于提升开关频率、减少开关损耗。这意味着您的系统不仅能运行得更高效、更凉爽，还能实现更紧凑的设计。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-65°C ~ 150°C），确保了在各种严苛环境下的长期可靠运行，是您构建高性能、高可靠性电力电子系统的理想基石。

• 型号:STB20NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20NM50T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。