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还在为提升电源转换效率而绞尽脑汁吗？SCTWA35N65G2VAG这颗基于碳化硅技术的N沟道功率晶体管，就是为您破局的关键。它凭借650V的高耐压和45A的强大电流能力，让您能轻松驾驭从工业电源到新能源逆变的各种高功率应用场景。

它的核心价值在于“高效”与“冷静”。极低的72毫欧导通电阻和快速的开关特性，能显著降低能量在转换过程中的损耗，直接提升系统整体效率。这意味着您的设备可以运行得更节能，发热更少，从而简化散热设计，提高功率密度。无论是想让产品更小巧，还是追求极致的能效表现，它都能让您的设计目标高效达成。

此外，其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保了在恶劣环境下依然稳定可靠。选择SCTWA35N65G2VAG，就是为您的产品选择了一份经得起未来考验的性能保障。

• 制造商产品型号：SCTWA35N65G2VAG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：72毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：73nC @ 20V
• Vgs（最大值）：+20V，-5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247 长引线
• SCTWA35N65G2VAG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。