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您正在为高压电源转换的效率瓶颈而烦恼吗？STB20N90K5正是为您破局而生的利器。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的漏源电压和20A的连续电流能力，能轻松应对工业电源、电机驱动等高压大功率场景的严苛要求。

它的核心价值在于让您的系统运行更高效、更凉爽。极低的250毫欧导通电阻（@10A, 10V）显著降低了传导损耗，而优化的开关特性则帮助您提升频率、减小体积。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高功率密度设备，STB20N90K5都能提供坚实可靠的性能基石，助您轻松实现设计目标。

• 型号:STB20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。