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还在为高压开关电路寻找那颗既强健又高效的“核心”吗？STDLED627正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有620V的坚固耐压和7A的强大电流吞吐能力，其领先的1.2欧姆超低导通电阻，能显著减少导通损耗，直接为您提升系统能效，让热量管理变得更轻松。

更令人惊喜的是，它具备快速开关特性（栅极电荷仅35nC），能帮助您优化开关频率，减少能量浪费。无论是用于构建高效的AC-DC电源、可靠的电机驱动器，还是稳定的LED照明系统，STDLED627都能让您的设计性能脱颖而出，同时其DPAK封装确保了出色的功率耗散能力和便捷的制造工艺。选择它，就是为您的产品注入高效与可靠的双重基因。

• 制造商产品型号：STDLED627
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 7A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：90W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
• STDLED627，ST（意法半导体）产品一站式供应商。