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您正在寻找一颗能轻松驾驭百安培级电流，同时将能量损耗降至最低的功率开关吗？STB200NF04T4正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的120A连续电流能力和仅3.7毫欧的超低导通电阻，让您在大功率DC-DC转换、电机驱动或电源分配系统中，能够实现极高的能源转换效率，显著降低系统发热。

它基于意法半导体成熟的STripFET II技术，不仅开关速度快，栅极驱动设计也更为简便。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热性能，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，让您的产品即使在苛刻环境下也能稳定高效地长期运行。选择它，就是为您的核心动力模块注入了可靠与高效的双重保障。

• 型号:STB200NF04T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB200NF04T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。